半导体晶圆制备中位错缺陷的形状和分布情况对电子元器件的性能有较大影响,由于掺杂材料、制备工艺的不同,位错分布也不同。本设备用于检查晶圆位错形态和分布,为晶圆材料研究、改进制备工艺提供数据支持。 适用于2吋、3吋、4吋和6吋砷化镓衬底。
项目 | 性能指标 |
检测项目 | 通过机器视觉检测技术检测衬底是否存在位错缺陷,并对位错缺陷进行计数 |
位错特征:菱形有长短轴位错、黑色六边形位错等 | |
卡控要求 | 1、≤5000 个/cm2,即每平方厘米的视场要求小于5000个位错,大于5000个为异常 |
2、计数方式: (1)整片成像:对整片衬底全面成像,再逐点计算位错数量; (2)69点成像:用相机成像69个1毫米长宽的点,再计算位错数量,再统计平均值和单点最大值两个数值; |
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位错识别 | 位错特征为菱形有长短轴或者深黑色类似六边形等,非这类特征的不列入计数;另外大小接近的位错列入计数。检出大块区域位错时,重点弹窗提示。 |
光学精度 | 1um/Pixel |
计数误差 | ≤±3%(不包含抽样误差) |
后续随着检测样本量的增多,计数误差将逐步减小 | |
检测速度 | 4吋衬底69点时间:≤50秒 |
4吋衬底整片时间:≤10分钟 |